- 光刻與薄膜覆蓋
- 光刻
- 薄膜覆蓋
- MEMS
- TSV封裝
FSM可爲半導體與微積電業者,提供各種晶圓片測試圖案服務,我們可提供化學機械拋光,刻,清潔,醫療與設備(或元件)制造等領域的標準測試圖案。除了標準測試圖案, FSM也接受依照使用者需求設計的客制晶圓圖案,并可提供工程用電腦輔助繪圖,以及光罩制作。材質:硅,玻璃。晶圓片直徑: 50毫米至300毫米。光刻設備:掃描機,步進機,近場/接觸曝光機,電子束。線寬: 65奈米, 90奈米, 130奈米, 180奈米, 250奈米或更大。光阻: 193奈米, 248奈米(DUV), I-Line蝕刻:濕蝕刻,離子束蝕刻,深離子束蝕刻?;瘜W機械拋光: W, Cu, Al,氧化硅, TEOS量測:電子顯微鏡,截面,電性測試等。測試用光罩:TSV晶圓片化學機械拋光溝槽凹蝕與侵蝕表面溝渠絕緣Damascene波紋與雙波紋線/間距陣列連結陣列雛菊花環記憶模式測試電性用結構特殊產品:貴金屬: Au, Pd, Ag, Pt
厚光阻穿透氧化硅層鉆孔銅FSM提供具有深100微米與直徑為50微米鉆孔的TSV晶圓片。我們的穿透氧化硅鉆孔TSV,從晶圓的中心點到凹槽邊緣,都具有非常好的表面平整度。所有穿透氧化硅層鉆孔都是在200毫米的晶圓上,以10到100微米的鉆孔圖案蝕刻而成的。我們在TEOS上先電鍍上10,000埃的電鍍銅板,再放上2微米的銅種子層,以及1000埃的鈦襯里。
在鍍上銅之前的硅鉆孔 銅處理后

欲知更多光刻細節,或您有特殊需求,請聯系FSM。
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